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日前,英飞凌展示了其产品的优越性:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出.下面一起来阅读本文了解一下具体的知识.
随着CoolGaN™600V增强型HEMT和GaNEiceDRIVER栅极驱动IC的推出,目前,英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列功率产品的公司.
最新发布的CoolGaN™600V增强型HEMT采用可靠的常闭概念,它经专门优化,可实现快速开通和关断.它们可在开关模式电源(SMPS)中实现高能效和高功率密度,其优值系数(FOM)在当前市场上的所有600V器件中首屈一指.
CoolGaN™开关的栅极电荷极低,且具有极少输出电容,可在反向导通状态下提供优异的动态性能,进而大幅提高工作频率,从而通过缩小被动元器件的总体尺寸,提高功率密度.英飞凌CoolGaN™600V增强型HEMT在功率因数校正(PFC)变流器里具有超高的能效(2.5kWPFC能效>99.3%).
此外,相同能效下的功率密度可达到160W/in3(3.6kWLLC能效>98%).在谐振拓扑中,CoolGaN™线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一.
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