产品详情

广电计量可以做AEC-Q-100认证报告,AEC-Q-101认证报告,AEC-Q-102认证报告, AEC-Q-104认证报告,AEC-Q-200认证报告,元器件筛选,破坏性物理分析,NVH测试

广州广电计量检测股份有限公司(股票简称:广电计量,股票代码:002967)始建于1964年,是原信息产业部电子602计量站,经过50余年的发展,现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构,专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务,在计量校准、可靠性与环境试验、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内领先水平.

广电计量积极布局第三代半导体功率器件的测试业务,引进国际先进的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化发展.

测试周期:

根据标准、试验条件及被测样品量确定

服务内容:

覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测.

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

测试项目:

静态参数	符号
Drain to Source Breakdown Voltage	BVDSS
Drain Leakage Current	IDSS
Gate Leakage Current	IGSS
Gate Threshold Voltage	VGS(th)
Drain to Source On Resistance	RDS(on)
Drain to Source On Voltage	VDS(on)
Body Diode Forward Voltage	VSD
Internal Gate Resistance	Rg
Input caPACitance	C_ies
Output capacitance	C_oes
Reverse transfer capacitance	C_res
Transconductance	gfs
Gate to Source Plateau Voltage	Vgs(pl)
动态参数	符号
Turn-on delay time	td(on)
Rise time	tr
Turn-off delay time	td(off)
Fall time	tf
Turn-on energy	Eon
Turn-off energy	Eoff
Diode reverse recovery time	trr
Diode reverse recovery charge	Qrr
Diode peak reverse recovery current	I_rrm
Diode peak rate of fall of reverse recovery current	dirr/dt
Total gate charge	QG
Gate-Emitter charge	QGC
Gate-Collector charge	QGE
-参数	符号
thermal resistance	R_th
Unclamped Inductive Switching	UIS
Reverse biased safe operating area	RBSOA
Short circuit safe operation area	SCSOA