所在地：福建厦门市
产品详情
Proprietary New Trench Technology
Ultra-low Miller Charge
N MOS RDS(ON),typ.=18mΩ@VGS=10V
P MOS RDS(ON),typ.=30mΩ@VGS=10V
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Fast Recovery Body Diode
发布时间:2021-11-24 18:36 点击:207
产品单价：1.00个/个
最小起订：1000 个
供货总量：90000000 个
发货期限：付款后 15 天内发货
有效期至：2021-09-22 [已过期]
Proprietary New Trench Technology
Ultra-low Miller Charge
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