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ZZ-A13中洲测控生产的多晶硅少子寿命测试仪是一款硅片少子寿命测试仪,不仅适用于硅片少子寿命的测量,更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量.主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查,生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等.多晶硅少子寿命测试仪测试范围广:包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量.适用于低阻硅料少子寿命的测量,电阻率测量范围可达ρ>Ω?cm(可扩展至Ω?cm),完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题.全程监控动态测试过程,避免了微波光电导(u-PCD)无法观测晶体硅陷阱效应,表面复合效应缺陷的问题.贯穿深度大,达500微米,相比微波光电导的30微米的贯穿深度,真正体现了少子的体寿命的测量,避免了表面复合效应的干扰.多晶硅少子寿命测试仪配置两种波长的红外光源1、μm波长红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命.2、～μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体.多金硅少子寿命测试仪 测量范围:1、研磨或切割面:电阻率≥Ω.㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命.2、抛光面:电阻率在～Ω.㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片.可测范围:1、分体式:2μS—10ms2、一体式:μS—20ms